Estudio de detectores tipo película radiocrómica EBT3 y diodos de Silicio para dosimetría in vivo en irradiación corporal total

Date
2020-07-28Authors
Fajardo Velasco, Martha LilianaDirectors
Muñoz Bravo, Jorge EmilioPublisher
Pontificia Universidad Javeriana
Faculty
Facultad de Ciencias
Program
Maestría en Física Médica
Obtained title
Magíster en Física Médica
Type
Tesis/Trabajo de grado - Monografía - Maestría
COAR
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Citación
Metadata
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English Title
Study of type detectors EBT3 radiochromic film and Silicon diodes for in vivo dosimetry in total body irradiationResumen
En la técnica radioterapia de irradiación corporal total (TBI) de dosis única se debe garantizar 10% de la dosis prescrita. Para dosimetría in vivo (DIV) se estudian tres sistemas de detección dos de ellos basados en diodos y otro basado en películas EBT-3 con el objetivo de determinar el sistema que proporcione mayores ventajas y que permita garantizar la exactitud de la entrega de la dosis. A los sistemas de diodos se le realizaron pruebas de aceptación y factores de corrección recomendadas por la AAPM (Task Group) TG-62 reporte 87 y al sistema óptico-película se le realizaron pruebas de verificación y la curva sensitométrica recomendadas por la AAPM TG-55, en DFS=100 cm y en condiciones de TBI (3.8 m). Se evalúa la exactitud de los sistemas DIV en dos montajes con simuladores físicos en condición de TBI. Las medidas se realizan simultáneamente en 4 puntos de interés. Se calibraron los diodos a 100 cGy a la profundidad de 16.1 cm en: DFS=100 cm con 155 UM y TBI (363.9 cm) con 1699 UM. Se obtuvo las curvas sensitométricas en DFS=100 cm (R^{2}=0.9995) y en TBI (R^{2}=0.9974). La interpretación de la dosis se debe realizar con una corrección por el efecto posterior de los diodos y las películas, K_{ep}=1.42 y K_{ep}=1.03, respectivamente. Para la predicción de la dosis en los diodos se utilizaron los siguientes factores de corrección: espesor del paciente (K_{e}=0.870-1) entre (3.2-16.1) cm, dosis de salida (K_{p}=1.620-1) entre (3.2-12.8) y temperatura (K_{T}=1-0.872) entre (21-40) ᵒC. Los valores de la dosis para los diodos en el simulador físico fueron: D1(184.7 cGy), D2(177.3 cGy), D3(170.6 cGy) y D4(163.8 cGy) con (0.4-6.8)% de predicción de la dosis. En las películas, las dosis respectivas fueron: P1(190.7 cGy), P2(182.2 cGy), P3(232.5 cGy) y P4(229.5 cGy). Se caracterizó dosimétricamente dos sistemas de diodos y película EBT-3 en dosis absorbida, para la DIV en TBI del CJO-HUSI. Se realizará la DIV con un sistema de diodos debido a que proporciona mayores ventajas y se pueden utilizar las películas como sistema redundante de la medida.
Palabras claves: Diodos de Silicio, Películas radiocrómicas EBT3, Dosis absorbida, dosimetría in vivo, TBI.
Abstract
In the single-dose total body irradiation radiotherapy (TBI) technique, 10% of the prescribed dose must be guaranteed. For in vivo dosimetry (IVD), three detection systems are studied, two of them based on diodes and the other based on EBT-3 films in order to determine the system that provides greater advantages and that guarantees the accuracy of dose delivery. . The diode systems underwent acceptance tests and correction factors recommended by the AAPM (Task Group) TG-62 report 87, and the optical-film system underwent verification tests and the sensitometric curve recommended by the AAPM TG- 55, at DFS = 100 cm and under TBI conditions (3.8 m). The accuracy of the DIV systems is evaluated in two assemblies with physical simulators in TBI condition, the measurements are made simultaneously at 4 points of interest. Diodes were calibrated at 100 cGy to the depth of 16.1 cm at: DFS = 100 cm with 155 MU and TBI (363.9 cm) with 1699 MU. Sensitometric curves were obtained at DFS = 100 cm (R^{2} = 0.9995) and on TBI (R^{2} = 0.9974). Interpretation of the dose should be performed with a correction for the after effect of the diodes and films, K_{ep} = 1.42 and K_{ep} = 1.03, respectively. The following correction factors were used for the prediction of the dose in the diodes: patient thickness (K_{e} = 0.870-1) between (3.2-16.1) cm, exit dose (K _{p}= 1.620-1) ) between (3.2-12.8) and temperature (K_{T} = 1-0.872) between (21-40) ᵒC. The dose values for the diodes in the physical simulator were: D1 (184.7 cGy), D2 (177.3 cGy), D3 (170.6 cGy) and D4 (163.8 cGy) with (0.4-6.8)% dose prediction. In the film, the respective doses were:: P1 (190.7 cGy), P2 (182.2 cGy), P3 (232.5 cGy) and P4 (229.5 cGy). Two diode systems and absorbed dose EBT-3 film were dosimetrically characterized for IVD in TBI from CJO-HUSI. The DIV will be carried out with a diode system because it provides greater advantages and the films can be used as a redundant measurement system.
Key words: Silicon Diodes, EBT3 radiochromic films, Absorbed dose, in vivo dosimetry, TBI.
Themes
Maestría en física médica - Tesis y disertaciones académicasDosimetría (Radiación)
Medicina nuclear
Radioterapia
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